型番

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 48 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージPowerPAIR 3 x 3S

RS品番:: 200-6853
メーカー型番:: SiZ240DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 48 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージPowerPAIR 3 x 3S

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150 - 1350	￥163.96	￥4,099
1375 - 1725	￥140.80	￥3,520
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RS品番:: 200-6853
メーカー型番:: SiZ240DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	48A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	PowerPAIR 3 x 3S
	シリーズ	TrenchFET Gen IV
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.00805Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	15.2nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	33W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	デュアル
	高さ	0.8mm
	規格 / 承認	No
	幅	3.4 mm
	長さ	3.4mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 48A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3S
	シリーズ TrenchFET Gen IV
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00805Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15.2nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 33W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成デュアル
	高さ 0.8mm
	規格 / 承認 No
	幅 3.4 mm
	長さ 3.4mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Document- SiZ240DT-T1-GE3

Vishay SiZ240DT-T1-GE3 は、デュアル N チャンネル 40 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

MOSFET ハーフブリッジパワーステージを内蔵しています

100 % Rg及びUISテスト済み

Qg 比の最適化によりスイッチング特性が向上しています

2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 48 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

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