2 Vishay Siliconix パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ350DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3

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梱包形態
RS品番:
178-3944
メーカー型番:
SiZ350DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

16.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.1nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

No

長さ

3mm

幅

3 mm

高さ

0.75mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:
TW
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

ハイサイド / ローサイドMOSFETで、50 %デューティサイクル用に最適化された組み合わせを構成

最適化されたRDS - QgとRDS - Qgd FOMにより、高周波スイッチングの効率を向上

用途

同期式バック

DC-DC変換

ハーフブリッジ

POL

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