型番

2 Vishay Siliconix パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ348DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3

RS品番:: 178-3932
メーカー型番:: SiZ348DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

2 Vishay Siliconix パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ348DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3

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RS品番:: 178-3932
メーカー型番:: SiZ348DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay Siliconix

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay Siliconix
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	30A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	PowerPAIR 3 x 3
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	10mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	12.1nC
	動作温度 Min	150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	16.7W
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	-55°C
	高さ	0.75mm
	規格 / 承認	No
	幅	3 mm
	長さ	3mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay Siliconix
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 30A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 PowerPAIR 3 x 3
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.1nC
	動作温度 Min 150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 16.7W
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max -55°C
	高さ 0.75mm
	規格 / 承認 No
	幅 3 mm
	長さ 3mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: TW

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

ハイサイド / ローサイドMOSFETで、50 %デューティサイクル用に最適化された組み合わせを構成

最適化されたRDS - QgとRDS - Qgd FOMにより、高周波スイッチングの効率を向上

2 Vishay Siliconix パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 30 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SiZ348DT-T1-GE3 パッケージPowerPAIR 3 x 3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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