2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 19.1 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerPAIR 3 x 3S

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RS品番:
204-7263
メーカー型番:
SIZ270DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiZ270DT

パッケージ型式

PowerPAIR 3 x 3S

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0377Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

33W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.3nC

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

規格 / 承認

No

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

高さ

0.75mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

Vishay デュアル N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET は、 MOSFET ハーフブリッジ電源ステージを内蔵しており、スイッチング特性が向上する最適化された Qg / Qgs 比を備えています。

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

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