Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 14.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiS110DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
178-3962P
メーカー型番:
SiS110DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay Siliconix
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ブランド

Vishay Siliconix

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

14.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiS110DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

24W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.5nC

動作温度 Max

150°C

3.15mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.15mm

高さ

1.07mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

COO(原産国):
CN

Vishay Siliconix SiS110DNシリーズMOSFET、100 Vドレインソース電圧、14.2 A連続ドレイン電流 - SiS110DN-T1-GE3


このNチャンネルMOSFETは、産業システムの電力変換および制御用途向けに設計された表面実装スイッチングトランジスタです。中~高電圧や電流に対応するエンハンスメントモードデバイスとして動作し、コンパクトな表面実装アセンブリで効率的なスイッチングを実現します。

特長:


• 100 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 14.2 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 70 mΩ Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制 • 8.5 nCのゲート充電により、スイッチングエネルギーとドライブ要件を低減 • 24 Wの消費電力により、狭いレイアウトでの熱負荷を管理 • 150°Cの最大ジャンクション温度により、高い動作条件を実現

用途


• オートメーション機器のDC-DCコンバータスイッチングステージに最適 • 工場システムのモータドライブハーフブリッジ回路に最適 • 産業用制御ユニットの電力管理に使用 • 配電モジュールの負荷スイッチングに使用可能

組み立てにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?


はんだ付け基板アセンブリと低プロファイル基板レイアウト向けに設計されたコンパクトなPowerPAK 1212表面実装パッケージで提供されます。

サービスでどのくらいの幅広い温度範囲に耐えられますか?


-55°Cの周囲温度から最大150°Cのジャンクション温度まで動作可能で、熱変動が大きい環境での使用が可能です。

設計者はどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスは、最大20 Vのゲートソース電圧を実現

ゲートドライブがこの制限内にあることを確認して、ゲート酸化を保護する必要があります。

このパッケージには、回路統合用のピン数がありますか?


このパッケージには、ドレイン、ソース、ゲート接続に対応する8つのピンが含まれており、基板上の熱および電気的ルーティングをサポートします。

この部品は自動車用途向けに指定されていますか?


自動車規格に指定されておらず、自動車グレードの認定が必須である場合は選択しないでください。

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