onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 178-4256
- メーカー型番:
- NTHL110N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥693.70 | ￥20,811 |
| 150 - 270 | ￥686.733 | ￥20,602 |
| 300 - 720 | ￥679.90 | ￥20,397 |
| 750 - 1470 | ￥673.067 | ￥20,192 |
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- RS品番:
- 178-4256
- メーカー型番:
- NTHL110N65S3F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | NTHL | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 58nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 240W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ NTHL | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 240W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 20.82mm | ||
幅 4.82 mm | ||
長さ 15.87mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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