onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS Stock No.:
- 178-4256
- Mfr. Part No.:
- NTHL110N65S3F
- Brand:
- onsemi
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Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ¥711.20 | ¥21,336 |
| 150 - 270 | ¥704.067 | ¥21,122 |
| 300 - 720 | ¥697.067 | ¥20,912 |
| 750 - 1470 | ¥690.033 | ¥20,701 |
| 1500 + | ¥682.967 | ¥20,489 |
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- NTHL110N65S3F
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- onsemi
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | NTHL | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最大許容損失Pd | 240W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ NTHL | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC | ||
最大許容損失Pd 240W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 15.87mm | ||
幅 4.82 mm | ||
高さ 20.82mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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