onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

Bulk discount available

Subtotal (1 tube of 30 units)*

¥21,336.00

(exc. VAT)

¥23,469.60

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
在庫あり
  • 390 2026年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
Units
Per unit
Per Tube*
30 - 120¥711.20¥21,336
150 - 270¥704.067¥21,122
300 - 720¥697.067¥20,912
750 - 1470¥690.033¥20,701
1500 +¥682.967¥20,489

*price indicative

RS Stock No.:
178-4256
Mfr. Part No.:
NTHL110N65S3F
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

NTHL

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

最大許容損失Pd

240W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

15.87mm

4.82 mm

高さ

20.82mm

自動車規格

なし

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

Related links