型番

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 27 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C478NT1G パッケージDFN

RS品番:: 178-4488
メーカー型番:: NVMFD5C478NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 27 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C478NT1G パッケージDFN

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70 - 690	￥199.40	￥1,994
700 - 890	￥180.40	￥1,804
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RS品番:: 178-4488
メーカー型番:: NVMFD5C478NT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	27A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	DFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	17mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	6.3nC
	最大許容損失Pd	23W
	動作温度 Min	175°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	0.84V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	デュアル
	長さ	5.1mm
	幅	6.1 mm
	高さ	1.05mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 27A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 DFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.3nC
	最大許容損失Pd 23W
	動作温度 Min 175°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 0.84V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成デュアル
	長さ 5.1mm
	幅 6.1 mm
	高さ 1.05mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: MY

5 x 6 mmフラットリードパッケージの車載用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプションが用意されています。自動車用途に適しています。

特長

低オン抵抗

高電流に対応

PPAP対応

NVMFD5C478NWF - ウェッタブルフランク製品

利点

最小限の導電損失

堅牢な負荷性能

車載用途に最適

光学検査を強化

用途

ソレノイドドライバ

ローサイド / ハイサイドドライバ

最終製品

車載用エンジンコントローラ

アンチロックブレーキシステム

2 onsemi パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 27 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, NVMFD5C478NT1G パッケージDFN

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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