Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 540 mA, 825 mΩ, 1.7 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23
- RS品番:
- 178-7474
- メーカー型番:
- BSS670S2LH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 178-7474
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- BSS670S2LH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 540mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 825mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 800mV | |
| 最大許容損失Pd | 360mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 540mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 825mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.7nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 800mV | ||
最大許容損失Pd 360mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2.9mm | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオン OptiMOSシリーズ MOSFET、ドレイン-ソース間電圧 55V、最大連続ドレイン電流 2A - BSS670S2LH6327XTSA1
このMOSFETは、コンパクトな電子システムにおける表面実装スイッチング用に設計された小信号Nチャンネルトランジスタです。中程度の電圧・電流定格で、制御されたエンハンスメントモードでのスイッチングを必要とする用途向けで、車載環境向けに認定されています。
特長：
• 55Vのドレイン耐圧の許容度により、高電圧スイッチング回路に対応
• 825mΩの低オン抵抗により、低電流経路での導通損失を最小限に抑制
• 540mAの連続ドレイン電流により安定状態の負荷に対応
• 1.7nCのゲート総電荷量により、効率的な高速スイッチングが可能
• 360mWの最大許容電力損失により、限られた熱設計余裕に対応
• -55°C～150°Cの動作温度範囲で、幅広い環境に対応
• 825mΩの低オン抵抗により、低電流経路での導通損失を最小限に抑制
• 540mAの連続ドレイン電流により安定状態の負荷に対応
• 1.7nCのゲート総電荷量により、効率的な高速スイッチングが可能
• 360mWの最大許容電力損失により、限られた熱設計余裕に対応
• -55°C～150°Cの動作温度範囲で、幅広い環境に対応
用途
• 車載センサーインターフェースのスイッチングに最適
• コンパクトなモジュールのDC負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理用の補助回路と併用
• 低消費電力コンバータのゲートドライバに使用可能
• ミックスドシグナル基板の信号レベルスイッチングに使用
• コンパクトなモジュールのDC負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理用の補助回路と併用
• 低消費電力コンバータのゲートドライバに使用可能
• ミックスドシグナル基板の信号レベルスイッチングに使用
小型パッケージにはどのような実装上の注意点がありますか？
このデバイスは、表面実装用の3ピンSOT-23パッケージで提供されているため、ランドパターンの熱的リリーフとはんだフィレットを考慮して、360 mWの消費電力を管理する必要があります。
ゲートドライブはスイッチング性能にどのように影響しますか?
ゲートを最大20Vまで駆動することで導通マージンが広がり、1.7nCのゲート電荷によって、ご希望の立ち上がり／立ち下がり時間に必要なドライバ電流が決まります。
連続負荷下でのデバイスの動作特性はどのようなものですか？
熱的制約を守り、周囲条件によって十分な熱伝達が確保される限り、最大540 mAを連続的に流すことができます。
このコンポーネントは、車載向けの認定要件に適していますか？
AEC‑Q101の要件を満たしているため、この規格を必要とする車載電子機器用途に適しています。
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