Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 100 mA, 30000 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23
- RS品番:
- 250-0544
- Distrelec 品番:
- 304-40-498
- メーカー型番:
- BSS139H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥766
(税抜)
￥843
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,210 は海外在庫あり
- 6,000 は 2027年2月18日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥76.60 | ￥766 |
| 150 - 1390 | ￥67.20 | ￥672 |
| 1400 - 1890 | ￥57.90 | ￥579 |
| 1900 - 2390 | ￥47.10 | ￥471 |
| 2400 + | ￥37.70 | ￥377 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 250-0544
- Distrelec 品番:
- 304-40-498
- メーカー型番:
- BSS139H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | BSS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 30000mΩ | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ BSS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 30000mΩ | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon BSSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧250V、最大連続ドレイン電流0.1A - BSS139H6327XTSA1
このMOSFETは、高電圧で制御された低電流スイッチングが必要な表面実装用途向けに設計されたデプレッションモードNチャンネルトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、自動車認定とRoHS準拠コンポーネントを必要とするシステムでコンパクトなSOT-23フットプリントに適合します。
特長および利点：
• 最大ドレイン・ソース電圧250Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 30,000mΩの最大ドレイン・ソース抵抗により、オン状態の電圧降下を低減
• 81Wの最大消費電力により、短時間の熱負荷に対応
• 80 nCの標準ゲート充電により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• 最大ゲートソース電圧±20Vにより、堅牢なゲートドライブヘッドルームを実現
• 30,000mΩの最大ドレイン・ソース抵抗により、オン状態の電圧降下を低減
• 81Wの最大消費電力により、短時間の熱負荷に対応
• 80 nCの標準ゲート充電により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• 最大ゲートソース電圧±20Vにより、堅牢なゲートドライブヘッドルームを実現
用途
• 高電圧アナログバイアス回路に最適
• センサーインターフェースの低電流制御に最適
• AEC‐Q101準拠を必要とする自動車用電子機器に使用
• コンパクトなSOT-23表面実装設計に使用可能
• 幅広い温度範囲で安定したシステムに最適
• センサーインターフェースの低電流制御に最適
• AEC‐Q101準拠を必要とする自動車用電子機器に使用
• コンパクトなSOT-23表面実装設計に使用可能
• 幅広い温度範囲で安定したシステムに最適
どのような温度範囲で動作しますか？
-55°C～+150°Cで動作します。
このパッケージには、どのくらいの端子がありますか?
このデバイスは、3ピンSOT-23パッケージで提供されます。
一般的なチャンネル伝導モードとタイプは何ですか?
N‐タイプ構成でデプレッションチャンネルを使用します。
どのような規格や認証に適合していますか?
RoHSに準拠し、車載用AEC‐Q101規格に適合しています。
定格ゲートドライブの標準ゲート電荷量はどのくらいですか?
指定されたゲート条件でのゲート電荷は通常 80 nC です。
関連ページ
- Infineon MOSFET 250 V 30000 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 5 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 6 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 100 V 10 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 240 V 20 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 600 V 700 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 600 V 600 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 12 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23