Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:
165-7534
メーカー型番:
BSS127H6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.65nC

順方向電圧 Vf

0.82V

最大許容損失Pd

500mW

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

1.3 mm

高さ

1mm

長さ

2.9mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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