1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 21 A 600 V, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB

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RS品番:
180-7349
メーカー型番:
SIHP21N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

EF

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.176Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

84nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

227W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

順方向電圧 Vf

1.2V

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

10.52 mm

高さ

6.71mm

長さ

14.4mm

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay SIHP21N60EF は、 600 V のドレイン - ソース電圧（ Vds ）とゲート - ソース電圧（ VGS ） 30 V の高速ボディダイオードを備えた N チャンネル EF シリーズパワー MOSFET です。TO-220AB パッケージであることが必要です。10VGS 時に 0.176 Ω のドレイン - ソース抵抗（ RDS ）を実現しています。最大ドレイン電流： 21A

Vishay SIHP21N60EF は、 600 V のドレイン - ソース電圧（ Vds ）とゲート - ソース電圧（ VGS ） 30 V の高速ボディダイオードを備えた N チャンネル EF シリーズパワー MOSFET です。TO-220AB パッケージであることが必要です。10VGS 時に 0.176 Ω のドレイン - ソース抵抗（ RDS ）を実現しています。最大ドレイン電流： 21A

E シリーズ技術採用の高速ボディダイオード MOSFET です

trr 、 Qrr 、 IRRM の削減

低性能指数（ FOM ）： Ron x Qg

E シリーズ技術採用の高速ボディダイオード MOSFET です

trr 、 Qrr 、 IRRM の削減

低性能指数（ FOM ）： Ron x Qg

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