Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 34 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP085N60EF-GE3
- RS品番:
- 268-8317
- メーカー型番:
- SIHP085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計:*
¥33,084.00
(税抜)
¥36,392.50
(税込)
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥661.68 | ¥33,084 |
| 250 - 450 | ¥654.52 | ¥32,726 |
| 500 - 1200 | ¥641.18 | ¥32,059 |
| 1250 - 2450 | ¥628.68 | ¥31,434 |
| 2500 + | ¥616.20 | ¥30,810 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 268-8317
- メーカー型番:
- SIHP085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | SIHP | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.084Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 184W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 34A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ SIHP | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.084Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 184W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流34 A - SIHP085N60EF-GE3
このMOSFETは、産業用および電子システムの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、スルーホールTO‐220ABパッケージで提供され、簡単な取り付けと熱管理を実現します。このデバイスは、制御された高電圧スイッチングと大幅な連続電流処理を必要とする用途に適しています。
特長:
• 650 V定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 34 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作をサポート • 0.084 Ω‐のオン抵抗により、導通損失を低減 • 184 Wの消費電力により、高い電力処理を実現 • 63nC標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現 • 最大ジャンクション温度150°Cで高温動作を維持
用途
• 産業用モーター駆動スイッチングステージに最適 • スイッチモード電源高電圧スイッチに最適 • オートメーション制御システムの電力変換に使用 • インバータフロントエンドスイッチングモジュールに使用可能 • スルーホール取り付けを必要とするラボテストリグに最適
どのようなゲートドライブを考慮すべきですか?
Vgsで63 nCの標準ゲート電荷を備えているため、ゲートドライバがEMIを制御しながら必要なスイッチング速度を達成するために十分な電流を供給してシンクできることを確認します。
パッケージは熱設計にどのような影響を与えますか?
TO‐220ABスルーホールフォーマットにより、ヒートシンクに簡単に取り付けることができ、適切なヒートシンク条件下で最大184 Wの消費電力を管理するためのシンプルな熱経路を実現します。
どのような動作環境範囲に対応していますか?
このデバイスは、-55 °Cから最大150 °Cの動作温度まで機能し、コールドスタートと高温の両方の設備で使用できます。
過電圧からデバイスを保護する方法は?
このトランジスタの最大ドレインソース電圧は650 V、ゲート制限は30 Vであるため、適切なスナバー、クランプダイオード、トランジェントサプレッサを含み、ゲートドライブがゲートソース制限を超えないようにすることができます。
関連ページ
- Vishay MOSFET 34 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP085N60EF-GE3
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 21 A 600 V SIHP21N60EF-GE3 パッケージJEDEC TO-220AB
- Vishay MOSFET 21 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP155N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 22 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP150N60E-GE3
- Vishay MOSFET 47 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP054N65E-GE3
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP074N65E-GE3
- Vishay MOSFET 33 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP110N65SF-GE3
- Vishay MOSFET 25 A 400 V SIHP25N40D-GE3 パッケージJEDEC TO-220AB
