Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 34 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP085N60EF-GE3

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RS品番:
268-8317
メーカー型番:
SIHP085N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

34A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

SIHP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.084Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大許容損失Pd

184W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay EFシリーズパワーMOSFETは、高速ボディダイオード及び4世代Eシリーズテクノロジーを備え、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、電力ファクタの正確化などの用途で使用されています。

低有効静電容量

アバランシェ定格エネルギー

メリットの数字が低い

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