Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 21 A, 0.157 Ω, 38 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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梱包形態
RS品番:
279-9927
メーカー型番:
SIHP155N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

SIHP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.157Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流21A - SIHP155N60EF-GE3


このMOSFETは、高電圧スイッチングおよび電源用途向けに設計されたスルーホールNチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、従来のヒートシンクおよびパネル取り付けに適したTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスは、電圧容量と耐熱性の組み合わせが必要なディスクリートパワーステージおよびスイッチングトポロジに、堅牢な半導体を必要とするエンジニア向けです。

特長:


• ドレイン定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 21A により、大きな負荷電流に対応
• 0.157Ωの低Rds(on)により、負荷時の伝導損失を低減
• 179 Wの消費電力により、高い熱負荷を実現
• 38 nCの標準ゲート電荷により、スイッチングエネルギーを管理可能
• 30Vのゲート許容差により、幅広いゲートドライブ電圧をサポート

用途


• 主電源および高電圧インバータスイッチに最適
• 堅牢な熱マージンを必要とする電源と併用
• 産業用モーター駆動段階に最適
• 高電圧レール付きDC-DCコンバータに使用可能
• パワーエレクトロニクスの汎用スイッチングに使用

このデバイスは、動作中にどのような周囲温度に耐えられますか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、過酷な熱環境でも使用できます。

このパッケージは熱管理にどのように役立ちますか?


TO-220ABフォーマットは、ヒートシンクに直接取り付けるための金属タブを備え、熱伝達を向上させ、高い放散性を実現します。

どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?


最大ゲート-ソース間電圧は30 Vで、過度のストレスを回避するために、ゲートドライバをこの値に制限する必要があります。

このデバイスは一般的な材料制限に適合していますか?


構造において特定の有害物質を制限するRoHS要件に適合しています。

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