Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 500 V, 26 A, 0.145 Ω, 86 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 180-7350
- メーカー型番:
- SIHP25N50E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計：*
￥22,624
(税抜)
￥24,887
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 250 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥452.48 | ￥22,624 |
| 250 - 450 | ￥443.42 | ￥22,171 |
| 500 - 1200 | ￥419.64 | ￥20,982 |
| 1250 - 2450 | ￥407.14 | ￥20,357 |
| 2500 + | ￥395.78 | ￥19,789 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 180-7350
- メーカー型番:
- SIHP25N50E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.145Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 86nC | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 14.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 10.52mm | |
| 高さ | 6.71mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.145Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 14.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 10.52mm | ||
高さ 6.71mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayシリーズEパワーMOSFET、500Vドレイン‐ソース電圧、26A連続ドレイン電流 - SIHP25N50E-GE3
このパワーMOSFETは、TO-220ABパッケージのNチャンネルシングルトランジスタで、高電圧スイッチングおよび電力変換作業向けに設計されています。広い周囲温度範囲で動作し、大きな電力処理と堅牢なゲートドライブ特性を必要とする用途向けに設計されています。
特長および利点：
• 500 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 26 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 最大消費電力250Wで高出力動作を実現
• 0.145Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 86nC標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 共通ゲートドライブ電圧を許容する最大30V Vgs
• 26 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 最大消費電力250Wで高出力動作を実現
• 0.145Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 86nC標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 共通ゲートドライブ電圧を許容する最大30V Vgs
用途
• 産業用電源およびコンバータに最適
• インバータのスイッチモード電力トポロジに最適
• 500V対応を必要とするモータードライブ回路に使用
• 高電圧リレーおよび保護スイッチングに使用可能
• 高温環境でのディスクリートパワーステージで使用
• インバータのスイッチモード電力トポロジに最適
• 500V対応を必要とするモータードライブ回路に使用
• 高電圧リレーおよび保護スイッチングに使用可能
• 高温環境でのディスクリートパワーステージで使用
どのような温度範囲で動作しますか？
-55°C～150°Cで動作し、コールドスタートおよび高温動作条件に対応します。
パッケージは熱管理にどのような影響を与えますか?
TO-220ABフォーマットにより、ヒートシンクにボルトを取り付けることができ、熱放散性を向上させ、安定状態の耐熱性を向上させます。
どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
デバイスのゲートしきい値許容差を超えないように、ゲート-ソース間電圧を±30V以内に保つことができます。
このデバイスはマルチチップ実装用に設定されていますか?
このダイは、チップあたり1つのエレメントを備えているため、並列化には慎重な電流共有設計が必要です。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET シングル 26 A 86 nC パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 400 V 1 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 304 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 650 V 80 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 650 V 193 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 0.195 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 650 V 88 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 0.483 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB