1 Vishay パワーMOSFET シングル, タイプNチャンネル, 26 A 500 V, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 180-7350
- メーカー型番:
- SIHP25N50E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥318.08 | ¥15,904 |
| 250 - 450 | ¥311.70 | ¥15,585 |
| 500 - 1200 | ¥294.98 | ¥14,749 |
| 1250 - 2450 | ¥286.20 | ¥14,310 |
| 2500 + | ¥278.22 | ¥13,911 |
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- RS品番:
- 180-7350
- メーカー型番:
- SIHP25N50E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.145Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 長さ | 14.4mm | |
| 高さ | 6.71mm | |
| 幅 | 10.52 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.145Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
長さ 14.4mm | ||
高さ 6.71mm | ||
幅 10.52 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay
Vishay のスルーホール取り付け N チャンネル TO-220AB-3 MOSFET は、ドレインソース電圧が 500 V 、最大ゲートソース電圧が 30 V の新しい時代型製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 145 mohms となります。最大消費電力 250 W 、連続ドレイン電流 26 A となっています。駆動電圧は 10 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。
特長と利点
•性能指数( FOM )が低い: Ron x Qg
•低ゲート電荷( Qg )
•低入力静電容量( CISS )
•動作温度範囲: -55 ° C ~ 150 ° C
•スイッチング損失と導電損失の低減
用途
•ハードスイッチドトポロジ
• PC シルバーボックス /ATX 電源
•力率補正電源( PFC )
•スイッチモード電源( SMPS )
• 2 段階 LED 照明
認定
• ANSI/ESD S20.20 : 2014
• BS EN 61340-5-1 : 2007
• UIS テスト済み
