Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 18 A, 193 mΩ, 32 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
200-6819
メーカー型番:
SIHP186N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

193mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

最大許容損失Pd

156W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

4.65mm

長さ

10.52mm

高さ

14.4mm

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流18A - SIHP186N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、スルーホールアセンブリのスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧エンハンスメントモードNチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、RoHS環境制限に適合するよう設計されているため、堅牢な650Vスイッチングデバイスが必要な厳しい熱および規制下での使用に適しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングに対応
• 18Aの連続電流により、大きな負荷処理をサポート
• 193mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 156 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 32nCゲート充電により、効率的なスイッチング制御を実現
• 30Vのゲート許容差により、一般的なドライバとの互換性を確保

用途


• 電源の高電圧DC-DCコンバータに最適
• 産業用モーター駆動スイッチングステージに最適
• 650Vデバイスを必要とするインバータフロントエンド回路で使用
• 中電流に対応するソリッドステートリレーに使用可能
• 力率補正およびEMI対応システムに最適

どのような包装と取り付け方法が必要ですか?


スルーホール取り付け用に構成されたTO-220ABパッケージで提供され、ヒートシンクとパネル取り付けが簡単です。

極端な温度でもどのように動作しますか?


このデバイスは、-55°C~150°Cまで動作するように設定されており、指定された電圧クラスを下げることなく、広い熱変動の環境での使用が可能です。

どのようなゲート駆動には注意が必要ですか?


最大ゲートソース定格は30 Vで、標準的な総ゲート電荷は32 nCなので、ゲートドライバは30 Vを超えずに、目的のスイッチング速度に十分なピーク電流を供給する必要があります。

自動車用電子機器に適していますか?


自動車規格による分類はありません

選択する場合は、車両グレードの認証が必要な業界特有の資格を考慮する必要があります。

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