Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 35 A, 80 mΩ, 42 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
228-2874
メーカー型番:
SiHP080N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

最大許容損失Pd

227W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流35A - SiHP080N60E-GE3


このパワーMOSFETは、高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタで、堅牢な熱性能と電気性能が求められるスルーホール電源用途向けに設計されています。広い環境範囲で動作し、適度なゲート充電でスイッチングタスクをサポートし、従来の基板で簡単にヒートシンクおよび組み立てができるTO-220ABパッケージに取り付けられています。

特長:


• 650Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途に対応
• 35Aの連続電流容量により、大きな負荷電流に対応
• 80mΩ Rds(on)により、電力伝送時の導通損失を最小限に抑制
• 最大許容電力 227W により、連続的な電力処理に対応
• 42nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• ±30 Vのゲート許容差により、幅広い駆動電圧範囲を実現

用途


• 主電源誘導SMPSおよびPFC回路に最適
• 産業用モータ駆動インバータステージに最適
• 通信用高電圧DC-DCコンバータと併用
• スイッチモード照明およびバラストシステムに使用可能
• バッテリー充電およびエネルギー貯蔵コンバーターに採用

このデバイスは過酷な環境でどのような温度範囲に耐えられますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、極端な産業温度でも動作できます。

このデバイスの取り付けと冷却はどのように行われますか?


TO-220ABスルーホールフォーマットは、ヒートシンクの直接取り付けに対応し、効果的な熱管理と基板実装型電源設計を実現します。

設計時にはどのようなゲート駆動制限を遵守する必要がありますか?


ゲートソース電圧は±30 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスを回避し、信頼性の高いスイッチングを実現します。

このコンポーネントは、低電圧信号スイッチング作業に適していますか?


1.2Vの順方向電圧とパワーフォーカス構造により、低電圧信号スイッチングではなく、高電圧電力変換に最適化されています。

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