Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 35 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 228-2874
- メーカー型番:
- SiHP080N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥478.66 | ￥23,933 |
| 250 - 450 | ￥463.80 | ￥23,190 |
| 500 - 1200 | ￥438.96 | ￥21,948 |
| 1250 - 2450 | ￥426.56 | ￥21,328 |
| 2500 + | ￥414.20 | ￥20,710 |
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- RS品番:
- 228-2874
- メーカー型番:
- SiHP080N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最大許容損失Pd | 227W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC | ||
最大許容損失Pd 227W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay E シリーズパワー MOSFET により、スイッチング損失と導電損失を低減しています。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ Co （ er ））