Vishay MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 21 A 600 V, SIHA22N60E-E3 パッケージTO-220

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梱包形態
RS品番:
180-7900
メーカー型番:
SIHA22N60E-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-220

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.18Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

86nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

35W

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

幅

10.3 mm

長さ

13.8mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay SIHA22N60E は、 600 V のドレイン - ソース間電圧（ Vds ）を備えた E シリーズ N チャンネルパワー MOSFET です。ゲート - ソース電圧（ VGS ）は 30 V です。この製品には、薄型リード TO-220 FULLPAK パッケージが採用されています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）を提供します。 0.18 Ω @ 10VGS最大ドレイン電流： 8 A

低性能指数（ FOM ）： Ron x Qg

低入力静電容量(Ciss)

スイッチング損失及び導電損失を低減

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