Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 19.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4425DDY-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥2,277.00

(税抜)

￥2,504.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 2,780 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 100￥113.85￥2,277
120 - 1180￥100.70￥2,014
1200 - 1580￥87.60￥1,752
1600 - 1980￥74.35￥1,487
2000 +￥61.10￥1,222

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
180-8062
メーカー型番:
SI4425DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

19.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

16.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大許容損失Pd

3.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.75mm

長さ

5mm

幅

6.2 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay の表面実装 P チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧 30 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 9.8 mhm です。最大消費電力 5.7 W 、連続ドレイン電流 19.7A です。この MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


•デスクトップ PC

•負荷スイッチ

• ノートPC

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• IEC 61249-2-21

• Rg テスト済み

関連ページ