Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 8.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
228-2818
メーカー型番:
Si4056ADY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.2nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.75mm

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET Gen IV N チャンネルパワー MOSFET は、負荷スイッチ、回路保護、モータドライブ制御に使用されます。

Vishay TrenchFET Gen IV N チャンネルパワー MOSFET は、負荷スイッチ、回路保護、モータドライブ制御に使用されます。

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

ロジックレベルゲートドライブ

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

ロジックレベルゲートドライブ

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