2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 7.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
919-0281
メーカー型番:
SI4214DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

7.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

19.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.5nC

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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