onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 201 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, NTB004N10G
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- 202-5688
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- NTB004N10G
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Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 201A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | NTB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.82mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 175nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 340W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.63mm | |
| 規格 / 承認 | Pb-Free and are RoHS | |
| 高さ | 15.88mm | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 201A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ NTB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.82mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 175nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 340W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.63mm | ||
規格 / 承認 Pb-Free and are RoHS | ||
高さ 15.88mm | ||
幅 4.83 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor パワー MOSFET は、 201 A の電流と 100 V で動作します。48 V システムのホットスワップで使用できます。
ソース間のドレイン抵抗が低い
高電流に対応
広い安全動作領域
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
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