Vishay MOSFET, Nチャンネル, 197 A （チャンネル 2 ）、 76 A （チャンネル 1 ）, 表面実装, 8 ピン, SiZF920DT-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
RS品番:
188-4910
メーカー型番:
SiZF920DT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

197 A （チャンネル 2 ）、 76 A （チャンネル 1 ）

最大ドレイン-ソース間電圧

30 （チャンネル 1 ） V 、 30 （チャンネル 2 ） V

パッケージタイプ

PowerPAIR 6 x 5 F

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.0014 Ω （チャンネル 2 ）、 0.005 Ω （チャンネル 1 ）

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V

最低ゲートしきい値電圧

1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V

最大パワー消費

28 W 、 74 W

トランジスタ構成

デュアル

最大ゲート-ソース間電圧

+16 V 、 +20 V 、 -12 V 、 -16 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

19 nC @ 15 V （チャンネル 1 ）、 83 nC @ 15 V （チャンネル 2 ）

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

2

幅

5.1mm

長さ

6.1mm

高さ

0.7mm

動作温度 Min

-55 °C

ショットキーダイオード付きデュアル N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
SkyFET®ローサイドMOSFET (ショットキー内蔵)

関連ページ