Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, SIHA100N60E-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-4970
メーカー型番:
SIHA100N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

E

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

35W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

4.7mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.3mm

高さ

15.3mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流12 A - SIHA100N60E-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電気システムでのスイッチングおよび電力制御用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。エンハンスメントモードデバイスとして動作し、スルーホールTO-220パッケージで提供され、プリント基板実装が簡単な3つのピンを備えています。このコンポーネントは、堅牢な電圧処理と実用的な組み立てが必要な場所での使用を目的としています。

特長:


• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 12 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート
• 0.1Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 33 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 35 Wの消費電力により、大幅な熱負荷処理が可能
• 最高動作温度150°Cで高温使用をサポート

用途


• オートメーション機器の高電圧モーター駆動ステージに最適
• スイッチモード電源に最適、高電圧処理
• 産業用インバータおよびコンバータスイッチングエレメントに使用
• 制御パネルのリレーおよびコンタクタドライバ回路に使用可能

信頼性の高い取り付けには、どのような取り付け方法が必要ですか?


このデバイスは、TO-220ボディにスルーホール取り付けスタイルを採用し、基板にはんだ付けし、パッケージタブを介してヒートシンクにボルト付けするときに確実な機械的および熱接続を実現します。

ゲート電圧範囲は、制御回路の設計にどのように影響しますか?


最大ゲートソース定格は30 Vで、ゲートドライブはこの制限内に保つ必要があり、通常はエンハンスメントモードNチャンネル制御と互換性のある一般的なロジックレベル電圧で動作します。

動作中にどのような過酷な環境温度に耐えられますか?


-55 °Cから最大150 °Cまで動作する定格で、低温と高温の両方の産業環境で使用できます。

廃棄または再利用に関する規制や材料の考慮事項はありますか?


このコンポーネントはRoHSに準拠しており、製造中の特定の有害物質の使用が制限されていることを示しています。

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