Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 12 A, 0.1 Ω, 33 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 188-4970
- メーカー型番:
- SIHA100N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 12 - 22 | ￥885.00 | ￥1,770 |
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| 32 - 38 | ￥760.00 | ￥1,520 |
| 40 + | ￥697.50 | ￥1,395 |
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- RS品番:
- 188-4970
- メーカー型番:
- SIHA100N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 35W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 15.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 長さ | 10.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 35W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 33nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 15.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4.7mm | ||
長さ 10.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流12 A - SIHA100N60E-GE3
このパワーMOSFETは、スルーホールアセンブリのスイッチおよび電力変換機能向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、従来の取り付けにTO‐220パッケージを使用しながら、大きなドレイン電流と高いドレイン‐ソース‐電圧処理を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 600 Vドレイン機能により、高電圧スイッチング用途を実現
• 12 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 0.1Ω Rds(on)により、電源回路の導通損失を低減
• 35Wの消耗により、周囲冷却時の持続的な電力処理が可能
• 33nC標準ゲート充電により、ゲート駆動エネルギーを制御可能
• 30Vの最大ゲートドライブにより、堅牢なゲートオーバードライブマージンを実現
• 12 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 0.1Ω Rds(on)により、電源回路の導通損失を低減
• 35Wの消耗により、周囲冷却時の持続的な電力処理が可能
• 33nC標準ゲート充電により、ゲート駆動エネルギーを制御可能
• 30Vの最大ゲートドライブにより、堅牢なゲートオーバードライブマージンを実現
用途
• 主電源接続スイッチング電源に最適
• 高電圧モータインバータステージに最適
• ディスクリートブーストコンバータトポロジーと併用
• 産業用バッテリー充電システムに使用可能
• 力率補正フロントエンドに最適
• 高電圧モータインバータステージに最適
• ディスクリートブーストコンバータトポロジーと併用
• 産業用バッテリー充電システムに使用可能
• 力率補正フロントエンドに最適
連続使用の熱制限はどのくらいですか?
このデバイスは、-55°C～150°Cの温度範囲で動作し、適切な熱管理により、低温環境と高温環境の両方での展開が可能です。
どのような包装および取り付け方法を採用していますか?
スルーホール取り付け用に設計されたTO‐220ケースで提供され、ヒートシンクの取り付けと信頼性の高い機械的固定を容易にします。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
ゲート‐ソース間電圧は30 Vを超えてはならないため、スイッチング過渡時にVgsをこの制限内に保つためにゲートドライバを選択する必要があります。
順方向電圧は回路設計にどのように影響しますか?
1.2 Vの順方向電圧を備えた設計者は、直列または同期構成の導通損失と熱負荷を計算する際に、この低下を考慮する必要があります。
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