Vishay MOSFET, Nチャンネル, 19 A, 表面実装, 3 ピン, SIHD186N60EF-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-4979
メーカー型番:
SIHD186N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

19 A

最大ドレイン-ソース間電圧

600 V

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

201 m Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

5V

最低ゲートしきい値電圧

3V

最大パワー消費

156 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

±30 V

1チップ当たりのエレメント数

1

標準ゲートチャージ @ Vgs

21 nC @ 10 V

長さ

6.73mm

動作温度 Max

+150 °C

幅

6.22mm

高さ

2.25mm

動作温度 Min

-55 °C

順方向ダイオード電圧

1.2V

EF シリーズパワー MOSFET 、高速ボディダイオード付きです。

第 4 世代 E シリーズテクノロジー
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ Co （ er ））
用途
サーバー / 通信用の電源
スイッチモード電源(SMPS)
力率補正電源(PFC)

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