Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 8.4 A, 168 mΩ, 21 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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梱包形態
RS品番:
210-4975
メーカー型番:
SiHB186N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

EF

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

168mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

156W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Max

150°C

長さ

14.61mm

高さ

4.06mm

規格 / 承認

No

幅

9.65mm

自動車規格

なし

Vishay EF シリーズパワー MOSFET (高速ボディダイオード付)は、 D2PAK ( TO-263 )パッケージタイプです。

第 4 世代 E シリーズテクノロジー

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量( Co ( er ))

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格( UIS )

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