Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 18 A, 193 mΩ, 32 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
200-6818
メーカー型番:
SIHP186N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

193mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

156W

動作温度 Max

150°C

長さ

10.52mm

高さ

14.4mm

4.65mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay SIHP186N60EF-GE3 は、高速ボディダイオードの EF シリーズパワー MOSFET です。

第 4 世代 E シリーズテクノロジー

低性能指数

低実効静電容量

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格( UIS )

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