Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD2N80AE-GE3
- RS品番:
- 188-4982
- Distrelec 品番:
- 304-38-847
- メーカー型番:
- SIHD2N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥1,647.00
(税抜)
￥1,811.70
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 1,400 は 2026年6月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | ￥164.70 | ￥1,647 |
| 100 - 940 | ￥158.40 | ￥1,584 |
| 950 - 1190 | ￥152.30 | ￥1,523 |
| 1200 - 1590 | ￥145.70 | ￥1,457 |
| 1600 + | ￥139.60 | ￥1,396 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 188-4982
- Distrelec 品番:
- 304-38-847
- メーカー型番:
- SIHD2N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.9Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.25mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.9Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.25mm | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、最大連続ドレイン電流2.9 A - SIHD2N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、堅牢な電圧処理と耐熱性が必要な産業および電子システムで使用するための高電圧スイッチングトランジスタです。表面実装用に設計されたエンハンスメントモードNチャンネルデバイスとして動作し、オートメーションおよび電気機器の電力変換および制御作業に適しています。
特長：
• 800 V定格により、コンパクトな設計で高電圧スイッチングを実現 • 2.9 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート • 7 nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブエネルギー管理を実現 • 2.9 Ω Rds(on)により、軽～中程度の負荷下での導通損失を制限 • 62.5 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現 • 高温用途向けの動作温度範囲: -55°C～150°C
用途
• 産業用コンバータの高電圧レールスイッチングに最適 • 中電流のモータドライブのパワーステージ用途に最適 • 電源やインバータのラインサイドスイッチングに使用 • ACシステムの過渡抑制およびスナバ回路に使用可能
制御回路には、どのようなゲート電圧範囲を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、最大30 Vのゲートソース電圧に耐えるため、ゲートの劣化を防止するために、ゲートドライバをこの最大値内に保つように指定する必要があります。
取り付けは熱性能にどのように影響しますか?
表面実装TO-252パッケージとして、熱伝達は、優れた基板銅面積と熱通路により、デバイスの定格電力を消費します。
銅不足により、ジャンクション温度が上昇します。
どのようなパッケージのピンカウントと構成がありますか?
このコンポーネントは、標準的な表面実装組立プロセスに適した3ピンTO-252構成で提供されます。
設計において、順方向伝導動作をどのように考慮すべきですか?
報告された順方向電圧: 1.2 V
これは、ボディダイオードが逆回復または同期整流イベント中に導電するときの損失計算に含まれます。
関連ページ
- Vishay MOSFET 8 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, SIHD11N80AE-GE3
- Vishay MOSFET 5 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, SIHD6N80AE-GE3
- Vishay MOSFET 4.4 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, SiHD5N80AE-GE3
- Vishay MOSFET 8 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, SIHD11N80AE-T1-GE3
- Vishay MOSFET 8 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
- Vishay MOSFET 2.9 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252
- Vishay パワーMOSFET 3 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-252, SIHD3N50D-GE3
- シングル Vishay MOSFET 3 A 500 V 3-Pin, SIHD3N50D-GE3 パッケージTO-252