Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD2N80AE-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-4982
Distrelec 品番:
304-38-847
メーカー型番:
SIHD2N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

SiHD2N80AE

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.9Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

2.25mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

E シリーズパワー MOSFET です。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ CISS ）

スイッチング損失及び導電損失を低減

用途

サーバー / 通信用の電源

スイッチモード電源(SMPS)

力率補正電源(PFC)

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