Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 8 A, 391 mΩ, 28 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 210-4979
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5個小計, 5パック：*
￥2,251
(税抜)
￥2,476
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,975 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥450.20 | ￥2,251 |
| 150 - 1420 | ￥404.20 | ￥2,021 |
| 1425 - 1895 | ￥357.20 | ￥1,786 |
| 1900 - 2395 | ￥311.40 | ￥1,557 |
| 2400 + | ￥265.20 | ￥1,326 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 210-4979
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 391mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 78W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 2.2mm | |
| 幅 | 6.4mm | |
| 長さ | 9.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 391mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 78W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 2.2mm | ||
幅 6.4mm | ||
長さ 9.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800V、消費電力78W - SIHD11N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、表面実装電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。非常に広い温度範囲で動作し、RoHS規制に適合しながら、高いドレインソース電圧処理と中程度の電流容量が求められる過酷な環境向けに設計されています。
特長：
• 800Vのドレイン・ソース定格により、高電圧トポロジを実現
• 8Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力回路をサポート
• 391mΩのRds(on)により、定格電流時の導通損失を低減
• 78Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 28nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 30 Vのゲートしきい値は、標準的なゲートドライブ電圧に対応
• 8Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力回路をサポート
• 391mΩのRds(on)により、定格電流時の導通損失を低減
• 78Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 28nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 30 Vのゲートしきい値は、標準的なゲートドライブ電圧に対応
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• ハーフブリッジおよびブーストコンバータステージに最適
• 産業用モータドライブフロントエンドと併用
• オフライン充電器および照明制御に使用可能
• 通信および配電モジュールに最適
• ハーフブリッジおよびブーストコンバータステージに最適
• 産業用モータドライブフロントエンドと併用
• オフライン充電器および照明制御に使用可能
• 通信および配電モジュールに最適
どのようなパッケージと取付方式を使用していますか？
表面実装組立用のTO-252パッケージで提供され、プリント基板銅への熱結合を容易にします。
動作時の許容温度範囲はどのくらいですか？
定格動作温度は-55°C～150°Cで、過酷な温度条件での使用が可能です。
順方向電圧は電力損失の計算にどのように影響しますか?
ダイオード伝導間隔および同期配置での伝導損失およびスイッチング損失を推定する際には、1.2Vの順方向電圧を含める必要があります。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲート-ソース電圧は30 Vであるため、ゲートドライバと保護機能は、この値を超える出発を防止する必要があります。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 800 V 391 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay パワーMOSFET 800 V 2.9 Ω 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay パワーMOSFET 850 V 450 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay MOSFET 800 V 391 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247
- Vishay パワーMOSFET 850 V 1.35 Ω 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay MOSFET 800 V 391 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-263
- Vishay パワーMOSFET 500 V 3.2 Ω 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay MOSFET 850 V 950 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252