Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD11N80AE-GE3
- RS品番:
- 210-4979
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-4979
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 391mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 78W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.2mm | |
| 長さ | 9.4mm | |
| 幅 | 6.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 391mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 78W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.2mm | ||
長さ 9.4mm | ||
幅 6.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、連続ドレイン電流8 A - SIHD11N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電子システムのスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。表面実装TO-252パッケージで提供され、過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作するように設計されています。重要な電気的制限と熱処理により、高い電圧耐性と適度な連続電流能力を必要とする回路で使用できます。
特長：
• 800 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 8 Aの連続ドレイン電流により、安定状態の負荷処理をサポート • 391 mΩ Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上 • 28 nCの標準ゲート充電により、スイッチングエネルギー消費を最小限に抑制 • 78 Wの消費電力能力により、アセンブリの熱マージンを実現
用途
• 産業機器用SMPSの一次側スイッチングに最適 • 電源の高電圧DC-DC変換段階に最適 • 産業用モータドライブのインバータフロントエンドスイッチングに使用 • 高電圧システムのスナバー回路又はクランプ回路に使用可能
信頼性の高いスイッチングには、どのようなゲートドライブが必要ですか?
このデバイスは、最大30 Vのゲート電圧に耐えることができるため、ゲートドライバは適切なVgsレベルを提供し、過度のストレスを防止するためにトランジェントを制限する必要があります。
温度は許容動作にどのように影響しますか?
このコンポーネントの定格動作温度は-55°C～150°C
設計者は、高温条件下での電流抵抗と熱抵抗のディレーティングを考慮する必要があります。
プリント基板設計には、どのようなパッケージと取り付けスタイルを使用しますか?
3ピン付きのTO-252表面実装パッケージで提供されるため、基板銅にはんだ付けされた取り付けと熱放散用の基板熱ランドパターンの使用が可能です。
どのようなスイッチング性能トレードオフが期待されるべきですか?
28 nCの適度なゲート電荷は、スイッチング速度とドライブエネルギーのバランスを取り、比較的高いRds(on)は、低抵抗デバイスに比べて高い導通損失を意味し、効率的な予算を考慮する必要があります。
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