Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD11N80AE-GE3
- RS品番:
- 210-4979
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 1425 - 1895 | ￥295.60 | ￥1,478 |
| 1900 - 2395 | ￥257.60 | ￥1,288 |
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- RS品番:
- 210-4979
- メーカー型番:
- SIHD11N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 391mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 78W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.2mm | |
| 長さ | 9.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 391mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 78W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.2mm | ||
長さ 9.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay E シリーズパワー MOSFET は、単一構成の DPAK （ TO-252 ）パッケージタイプです。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ CISS ）
スイッチング損失及び導電損失を低減
超低ゲート電荷(Qg)
アバランシェエネルギー定格（ UIS ）
ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています
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