Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD6N80AE-GE3

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RS品番:
200-6866
メーカー型番:
SIHD6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

950mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.5nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SIHD6N80AE-GE3 は E シリーズパワー MOSFET です。

低性能指数

低実効静電容量（ CISS ）

スイッチング損失及び導電損失を低減

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています

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