Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 181.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISS60DN-T1-GE3
- RS品番:
- 188-5094
- Distrelec 品番:
- 304-32-536
- メーカー型番:
- SISS60DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 188-5094
- Distrelec 品番:
- 304-32-536
- メーカー型番:
- SISS60DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 181.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| シリーズ | SiSS60DN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.01mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.68V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 57nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 65.8W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 高さ | 0.78mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 181.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
シリーズ SiSS60DN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.01mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.68V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 57nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 65.8W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.3mm | ||
高さ 0.78mm | ||
自動車規格 なし | ||
N チャンネル 30 V （ D-S ） MOSFET 、ショットキーダイオード付き。
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
SKYFET ® （モノリシックショットキーダイオード付）
最適化された RDS x Qg と RDS x Qgd FOM により、高周波スイッチングの効率が向上します
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