STMicroelectronics MDmeshパワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB11NM80T4
- RS品番:
- 188-8461P
- メーカー型番:
- STB11NM80T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
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| 480 - 638 | ￥936.50 |
| 640 - 798 | ￥827.50 |
| 800 + | ￥718.00 |
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- RS品番:
- 188-8461P
- メーカー型番:
- STB11NM80T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MDmeshパワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | STB11NM80 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.4Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -65°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.86V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 150W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.37mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MDmeshパワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ STB11NM80 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.4Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -65°C | ||
順方向電圧 Vf 0.86V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 43.6nC | ||
最大許容損失Pd 150W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.37mm | ||
長さ 10.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
これらのNチャネル・パワーMOSFETは、STマイクロエレクトロニクスの革新的なMDmesh™技術を使用して開発されており、マルチドレイン・プロセスと同社のPowerMESH™水平レイアウトを関連付けています。これらのデバイスは、極めて低いオン抵抗、高いdv/dt、優れたアバランシェ特性を提供する。ST独自のストリップ技術を活用したこれらのパワーMOSFETは、市場の類似製品よりも優れた全体的なダイナミック性能を誇ります。
低い入力キャパシタンスとゲート電荷
低ゲート入力抵抗
業界最高のRDS(on)Qg
用途
スイッチング・アプリケーション