STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB12NM50T4

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梱包形態
RS品番:
188-8473
メーカー型番:
STB12NM50T4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

STP12NM50

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

160W

動作温度 Min

-65°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.37mm

幅

9.35 mm

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

MDmesh™は、マルチプル・ドレイン・プロセスと当社のPowerMESH™水平レイアウトを組み合わせた新しい革命的なMOSFET技術です。その結果、優れた低オン抵抗、印象的な高dv/dt、優れたアバランシェ特性を実現した。当社独自のストリップ技術を採用することで、全体的にダイナミックなパフォーマンスが得られる。

高いdv/dtとアバランシェ性能

低い入力キャパシタンスとゲート電荷

厳しい工程管理と高い製造歩留まり

低ゲート入力抵抗

用途

スイッチング・アプリケーション

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