STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 761-0392
- メーカー型番:
- STB18NM80
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
一時的な在庫切れ - 2025/07/14に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価： 購入単位は 個
￥786.00
(税抜)
￥864.60
(税込)
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 29 | ￥786.00 |
| 30 - 299 | ￥763.00 |
| 300 - 399 | ￥615.00 |
| 400 - 799 | ￥539.00 |
| 800 + | ￥465.00 |
- RS品番:
- 761-0392
- メーカー型番:
- STB18NM80
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
詳細情報
STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh ™
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 17 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 800 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | MDmesh |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 295 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 190 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 長さ | 10.75mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 10.4mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 4.6mm |
関連ページ
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 17 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 17 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 17 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 17 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET800 V 17 A スルーホール パッケージTO-220SIS 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 17 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 100 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 61 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン