STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 5.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerFLAT
- RS品番:
- 192-4656
- メーカー型番:
- STL10N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ¥142.272 | ¥426,816 |
| 6000 - 27000 | ¥140.179 | ¥420,537 |
| 30000 - 42000 | ¥138.087 | ¥414,261 |
| 45000 - 57000 | ¥135.995 | ¥407,985 |
| 60000 + | ¥133.903 | ¥401,709 |
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- RS品番:
- 192-4656
- メーカー型番:
- STL10N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 660mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大許容損失Pd | 48W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 長さ | 6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 PowerFLAT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 660mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大許容損失Pd 48W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.8nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.95mm | ||
幅 5 mm | ||
長さ 6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
新しい MDmesh ™ M6 テクノロジは、 SJ MOSFET の有名で統合された MDmesh ファミリに最新の機能を組み込んでいます。STMicroelectronics は、新しい M6 技術によって前世代の MDmesh デバイスを基盤として構築されています。この技術は、エリアごとに優れた RDS ( on )を向上させ、最も効果的なスイッチング動作を実現
スイッチング損失の低減
前世代と比べて、領域ごとの RDS ( on )が低くなります
低ゲート入力抵抗
ツェナー保護
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