STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 56 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, STWA60N043DM9

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梱包形態
RS品番:
275-1384
メーカー型番:
STWA60N043DM9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

56A

シリーズ

STW

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

43mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

78.6nC

最大許容損失Pd

312W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9技術に基づいており、エリアごとに非常に低いRDS(on)を備えた中電圧又は高電圧MOSFETに最適で、高速回復ダイオードと組み合わせられています。シリコンベースのDM9テクノロジーには、マルチドレイン製造プロセスの利点があり、デバイス構造を強化できます。

高速回復ボディダイオード

シリコンベースの高速回復デバイスにおいて、エリアあたりの世界最高のRDS

低ゲート充電、入力静電容量、抵抗

100 %バランステスト済み

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