onsemi MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 98 A, 0.028 Ω, 7ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 195-8969
- メーカー型番:
- NVBG020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- 195-8969
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- NVBG020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 98 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.028 Ω | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 98 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.028 Ω | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
取付タイプ 表面 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK−7L
The On Semiconductor single N-channel silicon carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and Compact chip size ensure low capacitance and gate charge. It include highest efficiency, Faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Ultra low gate charge (typ. QG(tot) = 220nC)
Low effective output capacitance
100% avalanche tested
Qualified according to AEC−Q101
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