onsemi MOSFET, Nチャンネル, 98 A, 表面実装, 7 ピン, NVBG020N120SC1

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RS品番:
195-8969
メーカー型番:
NVBG020N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

98 A

最大ドレイン-ソース間電圧

1200 V

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

実装タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.028 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4.3V

トランジスタ素材

SiC

1チップ当たりのエレメント数

1

シリコンカーバイド(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、D2PAK−7L


ON Semiconductor のシングル N チャンネルシリコンカーバイド( SiC ) MOSFET は、まったく新しい技術を採用していて、シリコンよりも優れたスイッチング性能と信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。最も優れた効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズとコストの縮小などがシステムの利点になります。

超低ゲート電荷(標準) QG ( tot ) = 220 nC )
低実効出力静電容量
アバランシェ100 %テスト済み
AEC Q101に適合

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