onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 98 A 1200 V, 表面実装 エンハンスメント型, 7-Pin, NVBG020N120SC1 パッケージTO-263

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RS品番:
195-8969
メーカー型番:
NVBG020N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

98A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.028Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

シリコンカーバイド(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、D2PAK−7L


On SemiconductorシングルNチャンネルシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮する全く新しい技術を採用しています。さらに、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート充電が低くなります。最高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの削減、システムサイズの削減などがあります。

超低ゲート充電(標準QG(tot) = 220 nC)

低効率出力静電容量

100% アバランシェ試験済み

AEC−Q101準拠

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