onsemi MOSFET, Nチャンネル, 98 A, 表面実装, 7 ピン, NVBG020N120SC1
- RS品番:
- 195-8969
- メーカー型番:
- NVBG020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- 195-8969
- メーカー型番:
- NVBG020N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 98 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V | |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.028 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 98 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 1200 V | ||
パッケージタイプ D2PAK (TO-263) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.028 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4.3V | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリコンカーバイド(SiC)MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、20モーム、1200 V、M1、D2PAK−7L
ON Semiconductor のシングル N チャンネルシリコンカーバイド( SiC ) MOSFET は、まったく新しい技術を採用していて、シリコンよりも優れたスイッチング性能と信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。最も優れた効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズとコストの縮小などがシステムの利点になります。
超低ゲート電荷(標準) QG ( tot ) = 220 nC )
低実効出力静電容量
アバランシェ100 %テスト済み
AEC Q101に適合
低実効出力静電容量
アバランシェ100 %テスト済み
AEC Q101に適合
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