Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 6.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SIHD690N60E-GE3

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RS品番:
200-6828
メーカー型番:
SIHD690N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

700mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SIHD690N60E-GE3 は、 E シリーズパワー MOSFET です。

第 4 世代 E シリーズテクノロジー

低性能指数

低実効静電容量

スイッチング損失及び導電損失を低減

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

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