Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 6.4 A, 700 mΩ, 12 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 200-6828
- メーカー型番:
- SIHD690N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
- RS品番:
- 200-6828
- メーカー型番:
- SIHD690N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 700mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 700mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHD690N60E-GE3 は、 E シリーズパワー MOSFET です。
第 4 世代 E シリーズテクノロジー
低性能指数
低実効静電容量
スイッチング損失及び導電損失を低減
アバランシェエネルギー定格（ UIS ）
関連ページ
- Vishay MOSFET 650 V 700 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay MOSFET 650 V 700 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Vishay MOSFET シングル 3 A 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay パワーMOSFET 500 V 3.2 Ω 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay MOSFET 600 V 0.269 Ω 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay パワーMOSFET 650 V 700 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 391 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Vishay MOSFET 850 V 950 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252