Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5102DP-T1-RE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,689.00

(税抜)

￥2,957.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,990 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥537.80￥2,689
150 - 1420￥470.20￥2,351
1425 - 1895￥403.20￥2,016
1900 - 2395￥335.80￥1,679
2400 +￥268.60￥1,343

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
225-9926
メーカー型番:
SIR5102DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

N-Channel 100 V

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.6mΩ

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

6.25W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

動作温度 Max

150°C

幅

1.12 mm

高さ

5.26mm

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

自動車規格

なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ