型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5102DP-T1-RE3

RS品番:: 225-9926
メーカー型番:: SIR5102DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5102DP-T1-RE3

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個	単価	購入単位毎合計*
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150 - 1420	￥464.80	￥2,324
1425 - 1895	￥398.60	￥1,993
1900 - 2395	￥332.00	￥1,660
2400 +	￥265.60	￥1,328

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RS品番:: 225-9926
メーカー型番:: SIR5102DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	110A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	N-Channel 100 V
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	5.6mΩ
	最大許容損失Pd	6.25W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	51nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	5.26mm
	長さ	6.25mm
	幅	1.12 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 110A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ N-Channel 100 V
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.6mΩ
	最大許容損失Pd 6.25W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 51nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 5.26mm
	長さ 6.25mm
	幅 1.12 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5102DP-T1-RE3

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