型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 850 V, 5 A, 950 mΩ, 22.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 200-6867
メーカー型番:: SIHD6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 850 V, 5 A, 950 mΩ, 22.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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1375 - 1725	￥152.60	￥3,815
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RS品番:: 200-6867
メーカー型番:: SIHD6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	850V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	950mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	22.5nC
	最大許容損失Pd	62.5W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V
	シリーズ E
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 950mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22.5nC
	最大許容損失Pd 62.5W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Document- SIHD6N80AE-GE3

Vishay SIHD6N80AE-GE3 は E シリーズパワー MOSFET です。

低性能指数

低実効静電容量（ CISS ）

スイッチング損失及び導電損失を低減

超低ゲート電荷(Qg)

アバランシェエネルギー定格（ UIS ）

ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています

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