Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 228-2851
- メーカー型番:
- SiHD5N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 30000 - 42000 | ￥68.689 | ￥206,067 |
| 45000 - 57000 | ￥67.581 | ￥202,743 |
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- RS品番:
- 228-2851
- メーカー型番:
- SiHD5N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 850V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.35Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.35Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧850 V、最大連続ドレイン電流4.4 A - SiHD5N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。コンパクトな表面実装TO-252パッケージで提供され、小型フットプリントで堅牢な電圧処理と中程度の連続電流能力を必要とする用途に適しています。
特長：
• 850 Vのドレイン許容差により、高電圧システムの統合が可能 • 4.4 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷スイッチングをサポート • 1.35Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 11 nC標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブ設計を実現 • 62.5 Wの消費電力により、コンパクトなレイアウトで熱負荷を管理 • 最大ジャンクション温度150°Cで高温動作を維持
用途
• 産業用制御システムのSMPSおよびコンバータに最適 • 電源のフライバックおよびブーストトポロジに最適 • LEDドライバや照明制御のラインサイドスイッチングに使用 • バッテリ充電器の高電圧事前調整段階に使用可能
安全な動作のために、どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
スイッチングトランジション中のゲート誘電ストレスを避けるため、ゲートソース電圧は30 Vを超えないでください。
熱マージンは、基板レイアウトの選択にどのように影響しますか?
62.5 Wの消散定格と高いジャンクション能力により、設計者はTO-252ランドパターンから熱を除去するために十分な銅面積又はサーマルバイアスを提供する必要があります。
このデバイスは自動車システムに適していますか?
自動車標準用途向けに指定されておらず、自動車認定が義務付けられている場合は選択しないでください。
ゲート充電数値により、どのようなスイッチングトレードオフが発生しますか?
11 nCゲート充電は、スイッチング速度とドライブエネルギーのバランスを取り、必要な立ち上がり /立ち下がり時間とスイッチング周波数に対応するゲートドライバサイズが必要です。
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