Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 850 V, 4.4 A, 1.35 Ω, 11 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 228-2851
メーカー型番:: SiHD5N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 850 V, 4.4 A, 1.35 Ω, 11 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

取扱停止中

申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。

RS品番:: 228-2851
メーカー型番:: SiHD5N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	4.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	850V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.35Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	11nC
	最大許容損失Pd	62.5W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 4.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V
	シリーズ E
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.35Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC
	最大許容損失Pd 62.5W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧850 V、最大連続ドレイン電流4.4 A - SiHD5N80AE-GE3

このパワーMOSFETは、表面実装パワーエレクトロニクスのスイッチングおよび増幅用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い温度範囲で動作し、TO-252表面実装フットプリントを占有しながら、堅牢なブロッキング能力と中程度の連続電流処理を必要とする用途向けに設計されています。

特長：

• 850Vのドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 1.35Ω Rds(on)により制御された伝導損失をサポート
• 4.4Aの連続ドレイン電流により、安定した負荷動作を実現
• 熱性能ヘッドルームの最大消費電力62.5W
• 標準ゲート電荷 11nC により、より高速なスイッチング遷移が可能
• 30Vゲートソース制限により、標準的なゲートドライブ範囲を実現

用途

• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータードライブのフロントエンドに最適
• スイッチモード電力調整段階に使用
• 通信およびユーティリティラインインターフェース回路に使用可能
• 小型表面実装電源モジュールに適合

信頼性の高い動作を実現するために、どのような動作温度範囲を期待できますか?

このデバイスは-55°C～150°Cで動作し、過酷な熱環境での使用が可能です。

このコンポーネントでゲートドライブ設計をどのように考慮すべきですか?

最大Vgs 30Vの設計により、スイッチング速度および駆動電流要件を満たすようにドライバをサイズする際に、標準的な11nCのゲート電荷を考慮します。

組み立てにはどのような包装および取り付けに関する考慮事項が適用されますか?

表面実装用のTO-252パッケージで提供されているため、電力損失を管理するために、ランドパターンとサーマルバイアスを計画する必要があります。

自動車認証設計に適していますか?

自動車規格に適合することは指定されていないため、使用前に車両特有の要件に対して評価する必要があります。