- RS品番:
- 201-0859
- メーカー型番:
- SCTW35N65G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
在庫切れ
単価: 購入単位は30個
¥2,483.267
(税抜)
¥2,731.594
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
30 - 120 | ¥2,483.267 | ¥74,498.01 |
150 - 270 | ¥2,433.567 | ¥73,007.01 |
300 - 720 | ¥2,384.933 | ¥71,547.99 |
750 - 1470 | ¥2,337.233 | ¥70,116.99 |
1500 + | ¥2,290.467 | ¥68,714.01 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 201-0859
- メーカー型番:
- SCTW35N65G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
詳細情報
STMicroelectronics 650 V シリコンカーバイドパワー MOSFET は、定格電流が 45 A 、ドレイン - ソース間抵抗が 45 m Ω です。ユニット面積あたりのオン抵抗が低く、スイッチング性能が非常に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
低静電容量
低静電容量
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 45 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | HiP247 |
シリーズ | SCTW35 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.045 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | SiC |
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