STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 45 A 650 V, スルーホール デプレッション型, 3-Pin パッケージHip-247

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥70,059.99

(税抜)

¥77,065.98

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年2月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120¥2,335.333¥70,060
150 - 270¥2,278.40¥68,352
300 - 720¥2,250.90¥67,527
750 - 1470¥2,224.10¥66,723
1500 +¥2,197.933¥65,938

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
202-5487
メーカー型番:
SCTW35N65G2VAG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.055Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大許容損失Pd

240W

順方向電圧 Vf

3.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

73nC

動作温度 Max

200°C

高さ

34.95mm

長さ

15.75mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

STMicroelectronics 車載グレードシリコンカーバイドパワー MOSFET は、 ST の Advanced and イノベーティブな第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されています。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

低静電容量

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。