STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 119 A スルーホール パッケージHiP247 3 ピン

STMicroelectronics 650 V シリコンカーバイドパワー MOSFET は、定格電流 119A とドレイン対ソース抵抗 18 m Ω を備えています。ユニット面積あたりのオン抵抗が低く、スイッチング性能が非常に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

非常に高いジャンクション動作温度性能（ TJ = 175 ° C ）
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
非常に低いゲート電荷及び入力静電容量

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