STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 45 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージHip-247, SCTW35N65G2V

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥2,068.00

(税抜)

￥2,274.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 847 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 6￥2,068
7 - 13￥2,037
14 - 18￥2,007
19 - 24￥1,976
25 +￥1,946

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
201-0860
メーカー型番:
SCTW35N65G2V
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

45A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

Hip-247

シリーズ

SCTW35

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

73nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

最大許容損失Pd

240W

動作温度 Max

200°C

高さ

15.75mm

長さ

14.8mm

幅

5.15 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

STMicroelectronics 650 V シリコンカーバイドパワー MOSFET は、定格電流が 45 A 、ドレイン - ソース間抵抗が 45 m Ω です。ユニット面積あたりのオン抵抗が低く、スイッチング性能が非常に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

低静電容量

関連ページ