STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 95 A, 0.02 Ω, 162 nC, 7ピン, パッケージ：H2PAK
- RS品番:
- 202-5481P
- メーカー型番:
- SCTH100N65G2-7AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 202-5481P
- メーカー型番:
- SCTH100N65G2-7AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 95A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SCT | |
| パッケージ型式 | H2PAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.02Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大許容損失Pd | 360W | |
| 動作温度 Min | -65°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 順方向電圧 Vf | 2.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 162nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 幅 | 4.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 15.25mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 95A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SCT | ||
パッケージ型式 H2PAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.02Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大許容損失Pd 360W | ||
動作温度 Min -65°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
順方向電圧 Vf 2.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 162nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.4mm | ||
幅 4.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 15.25mm | ||
自動車規格 なし | ||
STの先進的かつ革新的な第2世代SiC MOSFET技術により開発された、ST 車載用SiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETです。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、スイッチング性能に優れています。
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