STMicroelectronics MOSFETモジュール, Nチャンネル, 1.2 kV, 45 A, 0.09 Ω, 3ピン, パッケージ：Hip-247
- RS品番:
- 202-5493
- メーカー型番:
- SCTWA30N120
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 202-5493
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- SCTWA30N120
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFETモジュール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 45 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.09 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| シリーズ | SCT | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFETモジュール | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 45 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.09 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
シリーズ SCT | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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