STMicroelectronics MOSFETモジュール, Nチャンネル, 45 A, スルーホール, 3 ピン, SCTWA30N120
- RS品番:
- 202-5494
- メーカー型番:
- SCTWA30N120
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- 202-5494
- メーカー型番:
- SCTWA30N120
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 45 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V | |
| パッケージタイプ | HiP247 | |
| シリーズ | SCT | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.09 Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.5V | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 45 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 1200 V | ||
パッケージタイプ HiP247 | ||
シリーズ SCT | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.09 Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 3.5V | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、ワイドバンドギャップ材料の Advanced で革新的な特性を利用して製造されています。この結果、ユニットあたりの最高のオン抵抗と非常に優れたスイッチング性能が、温度とほぼ無関係に実現されています。
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
低静電容量
低静電容量
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