STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 25 A 600 V, 表面 デプレッション型, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 202-5496P
- メーカー型番:
- STB33N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS品番:
- 202-5496P
- メーカー型番:
- STB33N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | ST | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.115Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最大許容損失Pd | 190W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 15.85mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ ST | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.115Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 35nC | ||
最大許容損失Pd 190W | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 15.85mm | ||
長さ 10.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics の高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh 高速世代と比較して、極めて低い回復電荷（ Qrr ）、回復時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた改善と、市場で最も効果的なスイッチング動作の 1 つを兼ね備えています。
非常に高い dv/dt 耐量
ツェナー保護