- RS品番:
- 202-5700
- メーカー型番:
- NTH4L080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は450個
¥1,447.862
(税抜)
¥1,592.648
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
450 - 450 | ¥1,447.862 | ¥651,537.90 |
900 - 4050 | ¥1,418.904 | ¥638,506.80 |
4500 - 6300 | ¥1,390.527 | ¥625,737.15 |
6750 - 8550 | ¥1,362.716 | ¥613,222.20 |
9000 + | ¥1,335.462 | ¥600,957.90 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 202-5700
- メーカー型番:
- NTH4L080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、TO-247-4L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、TO-247-4L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 29 A 、 1200 V で動作します。無停電電源、ブーストインバータ、産業用モータドライブ、 PV 充電器で使用することができます。
ドレイン - ソース間オン抵抗: 110 m
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 29 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
パッケージタイプ | TO-247-4 |
シリーズ | NTH |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.11 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | SiC |
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