onsemi Nチャンネル MOSFETトランジスタ1200 V 29 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン
- RS品番:
- 202-5701
- メーカー型番:
- NTH4L080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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￥1,923.35
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 2 - 28 | ￥1,748.50 | ￥3,497.00 |
| 30 - 208 | ￥1,697.50 | ￥3,395.00 |
| 210 - 278 | ￥1,606.50 | ￥3,213.00 |
| 280 - 358 | ￥1,567.50 | ￥3,135.00 |
| 360 + | ￥1,515.50 | ￥3,031.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 202-5701
- メーカー型番:
- NTH4L080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、TO-247-4L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、TO-247-4L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 29 A 、 1200 V で動作します。無停電電源、ブーストインバータ、産業用モータドライブ、 PV 充電器で使用することができます。
ドレイン - ソース間オン抵抗： 110 m
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 29 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| シリーズ | NTH |
| パッケージタイプ | TO-247-4 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.11 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | SiC |
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